| 型号：APTGT50H60RT3G | 类别：IGBT | 制造商：Microsemi Power Products Group |
| 封装：* | 描述：POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | |
详细参数
| 类别 | IGBT |
|---|---|
| 描述 | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 |
| 系列 | - |
| 制造商 | Microsemi Power Products Group |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 配置 | 全桥反相器 |
| 电压_集电极发射极击穿111最大222 | 600V |
| VgewwwwIc时的最大Vce111开222 | 1.9V @ 15V，50A |
| 电流_集电极（Ic）111最大222 | 80A |
| 电流_集电极截止111最大222 | 250µA |
| Vce时的输入电容（Cies） | 3.15nF @ 25V |
| 功率_最大 | 176W |
| 输入 | 单相桥式整流器 |
| NTC热敏电阻 | 是 |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 供应商设备封装 | * |
供应商
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